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Sanan Optoelectronics, 화합물반도체 프로젝트에 160억 위안 투자(三安光电 160亿加码第三代半导体)

2020-06-18
6월 15일, 상하이 증권보의 보도에 따르면, Sanan Optoelectronics(三安光电)은 6월 15일, 창사 하이테크 산업 개발구 관리위원회와 "프로젝트 투자 및 건설 계약"에 서명했다고 발표하였습니다. 회사는 창사에 자회사를 설립하여 제3세대 반도체 산업 단지 프로젝트를 건설에 투자 할 계획이며 투자금액은 160억 위안입니다.
 
Sanan Optoelectronics는  중국 최대 LED 에피택셜 및 칩 생산 기업으로서 최근 적극적으로 RF, 광통신, 전기전자 등 반도체 칩 사업을 확장하고 있습니다. 해당 프로젝트는 SiC 등 기타 화합물반도체의 R&D 및 상용화에 사용될 계획입니다. 동 프로젝트는 소재부터 패키징까지 생산을 위한 밸류체인과 6인치 및 4인치 SiC 비절연 기판, SiC 다이오드 에피택셜, SiC MOSFET 에피택셜 웨이퍼 및 칩, SiC 다이오드 에피택셜 웨이퍼 및 칩, SiC MOSFET 칩 등에 대한 R&D, 생산 및 판매도 포함합니다. 양측의 협의에 따르면, ‘토지 사용절차 및 관련 조건이 구비된 후 24개월 이내, Sanan Optoelectronics는 프로젝트의 1기 건설을 완료 후 생산을 시작하며, 48개월 내에 2기 건설 및 생산 시작, 72개월 내 최종 목표 생산계획 달성’하기로 협의하였습니다.
 
프로젝트의 주요 다운스트림 방향은 파워반도체 분야입니다. Sanan Optoelectronics의 2019 연간보고서에 따르면 회사의 파워반도체 제품으로 출시된 MOSFET 및 GaN-on-Si, 전력 반도체 소자 등 제품은 주로 신에너지 자동차, 전기차 충전소, PV인버터 등 전원 공급 장치 시장에서 사용됩니다. 고객사는 60개 이상이며, 27가지의 제품이 양산 단계에 들어섰습니다.



원문 URL : http://www.semi.org.cn/news/news_show.aspx?ID=59584&classid=117