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Bofang Jiaxin GaN 및 전력전자 프로젝트 착공(博方嘉芯氮化镓射频及功率器件项目开工)

2020-03-06
최근 저장성 쟈싱시 난후구는 올해 1분기 중점 프로젝트 착공식을 개최하였습니다. 이번 착공식에는 총 54개 프로젝트, 투자액은 219.96억 위안(한화 약3.7조원) 으로 총 투자액과 프로젝트당 투자액 측면에서 난후구의 새로운 역사로 기록되었습니다. 착공식 장소는 쟈싱시 과학기술단지에 위치한 Zhejiang Bofang Jiaxin IC Technology의 GaN 및 전력전자 프로젝트 현장이었습니다.
 
Bofang Jiaxin의 GaN 및 전력전자 프로젝트는 3세대 반도체 재료 시범 프로젝트이며, 쟈싱난후 반도체산업플랫폼의 두번째 랜드마크 프로젝트입니다. 총 투자액은 25억 위안(한화 약 4,250억원)이며, Zhejiang Bofang Jiaxin IC는 향후 6인치에도 적용가능한 4인치 질화갈륨(GaN) 생산 장비를 도입할 예정입니다. 동 프로젝트는 2단계로 진행되며, 완공 후 연간 30억 위안(한화 약 5,100억원) 이상의 매출과 6,600만 위안(한화 약 112억원)의 세수를 실현할 것으로 전망되었습니다.
 
Bofang Jiaxin의 Zhang Bo회장은 "내년 2분기 시생산을 실현, 2021년에 공식적으로 양산을 진행할 것으로 예상한다."며 코로나 대유행 기간에도 쟈싱과학기술단지의 직원들은 관련 업체와 연락을 유지하고, 영상회의 등으로 금번 프로젝트를 추진해 왔다고 하였습니다.
 
프로젝트 소개 자료에 따르면, 금번 사업으로 GaN반도체의 국산화의 서막이 열릴 것이라 합니다. GaN은 세계적으로 늘 품귀에 시달리는 반도체 제품으로 중국내 수요의 약 90%가 수입되고 있으며, 국산 대체 제품의 개발과 양산이 매우 시급한 상황입니다. GaN은 밴드 갭이 큰 3세대 반도체 소재로 5G통신 기지국, 스마트 모바일 터미널, 사물 인터넷, 군사용 및 항공 우주, 데이터 센터, 각종 통신 장비, 스마트 그리드 및 태양광 인버터 등에 널리 사용될 수 있습니다.



원문 URL : https://www.dramx.com/News/igbt/20200305-18986.html