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BYD IGBT 프로젝트 착공(比亚迪IGBT项目启动建设)

2020-03-05
최근 후난성 당위원회 상임위원이자 창사시 당위 위원장인 Hu Henghua이 창샤BYD의 IGBT 프로젝트에 대해 언급하였습니다. Changsha Evening News에 따르면, Changsha BYD IGBT 프로젝트는 이미 공식적으로 착공, 집적회로 제조 라인을 구축 중이며, 동 프로젝트를 통해 차세대 전기자동차의 핵심인 전력반도체 분야의 경쟁력 확보를 목표로 하고 있습니다. Hu 위원장은 BYD IGBT 프로젝트가 Changsha 반도체산업의 전체 산업 생태계를 활성화하는 데 핵심적인 역할을 한다고 하였으며, 정책 측면의 보조와 서비스 측면의 업그레이드로 초고속으로 동 프로젝트를 진행하고, 건설 안전과 프로젝트 품질을 보장하면서 가능한 한 빨리 완공하여 양산에 들어가게 하겠다고 하였습니다.
 
IGBT는  신재생에너지, 자동차, DC 충전기, 고속철 등의 핵심 장치이며 현재 가장 큰 성장 잠재력을 가진 전력반도체 분야입니다. Jibang Consulting의 분석에 따르면 동 시장에는 3가지 유형의 새로운 참여자가 있는데, 첫번째로 Yangjie Technology 및 Hua Microelectronics와 같이 기존 전력반도체 회사가 IGBT와 같은 첨단제품으로 비즈니스를 확장하는 유형과, 두번째로 자사 내부의 수요를 만족할 수 있고 공급 체인의 안전을 확보하기 위하여 산업 생태계의 상단으로 진입하려는 회사들로 대표적으로는 CRRC, BYD 등이 있고, 마지막으로 Fortune Semiconductor와 같이 IGBT 시장을 매우 낙관적으로 전망, 신규 사업으로 IGBT 개발과 생산을 추구하는 유형이 있는데, BYD는 당연히 두번째 범주에 포함된다고 할 수 있습니다.
 
실제로 최근 BYD는 IGBT 분야를 지속적으로 개척해 왔으며 2005년 IGBT팀이 설립된 이후 IGBT1.0, IGBT2.0 및 IGBT2.5를 연속적으로 출시하였습니다. BYD는 2018년 12월에도 전기차 규격에서 사실상 표준이라 할 수 있는 IGBT4.0 기술을 출시했습니다. 올해 1월 심천의 BYD전자는 납입자본금 2천만 위안(한화 약 34억원)인 Changsha BYD Semiconductor Co. Ltd.를 설립한 바 있고, 당시 업계에서는 BYD가 IGBT 분야에 집중하기 위한 포석일 것이라고 예측한 바 있지만, 이번에 창샤시 당위서기가 직접 동 프로젝트에 대해 공식적으로 언급함으로써, BYD가 투자한 목적이 명확해지게 되었습니다.



원문 URL : http://www.semi.org.cn/news/news_show.aspx?ID=58736&classid=117