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China Electronics Technology(Shanxi). SiC 재료산업기지 시생산 개시(中国电科(山西)碳化硅材料产业基地顺利投产)

2020-03-02
China Electronics Technology (Shanxi)(이하, "China Electronics")의 SiC 재료 산업기지가 2월 28일 시운전에 들어갔습니다. China Electronics의 비서실장인 Xiong Qunli는 China Electronics의 전자정보기술 혁신산업단지는 반도체 재료 및 장비 제조산업을 중심으로 한 중국 전자기술의 전략적 포석이라고 표현했습니다.
 
China Electronics의 전자정보기술 혁신산업단지 프로젝트는 "1개의 센터, 3개의 기지"를 구축하는 것으로 계획되었는데, "1개 Center"는 China Electronics의 3세대 반도체기술 혁신센터이고, "3개 기지"는 SiC 재료산업기지, 전자장비 지능형 제조산업기지, 그리고 에너지 산업기지입니다.
 
동 프로젝트가 완료되면 100억 위안(한화 약 1조7천억원)의 부가가치를 창출할 것으로 예상되며, 업스트림 기업의 유치, 산업 클러스터링 효과, 전자장비제조 및 3세대 반도체산업 생태계 형성 및 중국 내 최대 SiC 재료 공급기반 구축 등으로 향후 샨시성 경제 구조를 혁신하고 업그레이드하는 중요한 역할을 담당하게 됩니다. 그 중 이번 시운전이 이루어진 China Electric SiC 재료산업기지는 중국 내 최대의 SiC 재료공급기지로서 1단계 프로젝트는 2019년 4월 1일에 착공, 같은 해 9월 26일에 완공되었습니다.
 
Shanxi종합개혁시범구에 의하면, 프로젝트의 1단계 건축면적은 27,000㎡이며, 이는 600개의 SiC 단결정 생산로와 180,000개의 N-타입 웨이퍼 처리 및 검사 기능을 수용, 75,000개의 SiC 웨이퍼를 생산할 수 있어, 중국 SiC에 대한 외국의 봉쇄 상황이 발생하더라도, 이를 극복할 수 있는 규모라 합니다. 생산투입 후에는 연간 10억 위안의 생산액을 달성, 중국 내 3위, 전 세계 10위권의 SiC 생산기업이 될 것으로 전망되고 있습니다.
 


원문 URL : https://www.dramx.com/News/cailiao-shebei/20200302-18954.htm